řada: FemtoFETMOSFET CSD17381F4T N-kanálový 3,1 A 30 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Řada
FemtoFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,04 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.64mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.35mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,68
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,68
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,68 | € 13,60 |
| 40 - 80 | € 0,67 | € 13,40 |
| 100 - 480 | € 0,65 | € 13,00 |
| 500 - 980 | € 0,63 | € 12,60 |
| 1000+ | € 0,62 | € 12,40 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Řada
FemtoFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,04 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.64mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.35mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products