řada: FemtoFETMOSFET CSD17483F4T N-kanálový 1,5 A 30 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
0.64mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,01 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.35mm
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
0.64mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,01 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.35mm
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products