Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSCONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
3.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,3 nC při 4,5 V
Höhe
0.9mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSCONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
3.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,3 nC při 4,5 V
Höhe
0.9mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku