řada: NexFETMOSFET CSD18502Q5B N-kanálový 204 A 40 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
204 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,28
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 2,28
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,28 | € 11,40 |
| 25 - 45 | € 2,16 | € 10,80 |
| 50 - 120 | € 1,94 | € 9,70 |
| 125 - 245 | € 1,75 | € 8,75 |
| 250+ | € 1,66 | € 8,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
204 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products