Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 9,77
€ 1,954 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,77
€ 1,954 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,954 | € 9,77 |
| 25 - 45 | € 1,852 | € 9,26 |
| 50 - 120 | € 1,676 | € 8,38 |
| 125 - 245 | € 1,498 | € 7,49 |
| 250+ | € 1,432 | € 7,16 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


