Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
69 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
69 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku