řada: NexFETMOSFET CSD18563Q5A N-kanálový 100 A 60 V, VSONP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,01
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,01
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,01 | € 5,05 |
| 25 - 95 | € 0,89 | € 4,45 |
| 100 - 245 | € 0,77 | € 3,85 |
| 250 - 495 | € 0,72 | € 3,60 |
| 500+ | € 0,68 | € 3,40 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products