Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
VSONP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
10.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 30,20
€ 1,208 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 30,20
€ 1,208 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 95 | € 1,208 | € 6,04 |
100 - 245 | € 1,048 | € 5,24 |
250 - 495 | € 0,982 | € 4,91 |
500+ | € 0,932 | € 4,66 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
VSONP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
10.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku