řada: NexFETMOSFET CSD19502Q5BT N-kanálový 157 A 80 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
195 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,65
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 2,65
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,65 | € 5,30 |
| 10 - 18 | € 2,51 | € 5,02 |
| 20 - 48 | € 2,26 | € 4,52 |
| 50 - 98 | € 2,04 | € 4,08 |
| 100+ | € 1,94 | € 3,88 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
195 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products