řada: NexFETMOSFET CSD19502Q5BT N-kanálový 157 A 80 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 133-0154Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD19502Q5BT
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

157 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

NexFET

Gehäusegröße

VSON-CLIP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Maximální ztrátový výkon

195 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.1mm

Počet prvků na čip

1

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

130 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 4,44

€ 2,22 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD19502Q5BT N-kanálový 157 A 80 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

€ 4,44

€ 2,22 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD19502Q5BT N-kanálový 157 A 80 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaBalík
2 - 8€ 2,22€ 4,44
10 - 18€ 2,11€ 4,22
20 - 48€ 1,89€ 3,78
50 - 98€ 1,715€ 3,43
100+€ 1,64€ 3,28

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

157 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

NexFET

Gehäusegröße

VSON-CLIP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Maximální ztrátový výkon

195 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.1mm

Počet prvků na čip

1

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

130 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more