Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku