řada: NexFETMOSFET CSD19536KCS N-kanálový 259 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
259 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
NexFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,22
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 4,22
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,22 | € 211,00 |
| 100 - 200 | € 3,37 | € 168,50 |
| 250+ | € 3,16 | € 158,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
259 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
NexFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products