řada: NexFETMOSFET CSD19536KCS N-kanálový 259 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
259 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,79
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 4,79
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 24 | € 4,79 | € 9,58 |
| 26+ | € 3,88 | € 7,76 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
259 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products