řada: NexFETMOSFET CSD19536KTTT N-kanálový 272 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
272 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
9.65mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 0 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 207,62
€ 4,152 Each (On a Reel of 50) (bez DPH)
50
€ 207,62
€ 4,152 Each (On a Reel of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,152 | € 207,62 |
| 100 - 200 | € 3,986 | € 199,32 |
| 250+ | € 3,862 | € 193,09 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
272 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
9.65mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
118 nC při 0 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products