Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
DS BGA
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
9
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,9 nC při 4 V
Breite
1.5mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1V
Höhe
0.35mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
DS BGA
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
9
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,9 nC při 4 V
Breite
1.5mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1V
Höhe
0.35mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku