DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: NexFETMOSFET CSD22204WT P-kanálový 5 A 8 V, DSBGA, počet kolíků: 9 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 145-7461Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD22204WT
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

8 V

Gehäusegröße

DS BGA

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

9

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

1.7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-6 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

1.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18,9 nC při 4 V

Breite

1.5mm

Počet prvků na čip

1

Propustné napětí diody

1V

Höhe

0.35mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD22204WT P-kanálový 5 A 8 V, DSBGA, počet kolíků: 9 Jednoduchý Si

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD22204WT P-kanálový 5 A 8 V, DSBGA, počet kolíků: 9 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

8 V

Gehäusegröße

DS BGA

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

9

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

1.7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-6 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

1.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18,9 nC při 4 V

Breite

1.5mm

Počet prvků na čip

1

Propustné napětí diody

1V

Höhe

0.35mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more