řada: NexFETMOSFET CSD25404Q3T P-kanálový 104 A 20 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
104 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,8 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,07
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,07
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 10 | € 1,07 | € 5,35 |
| 15 - 45 | € 0,86 | € 4,30 |
| 50 - 245 | € 0,75 | € 3,75 |
| 250 - 495 | € 0,65 | € 3,25 |
| 500+ | € 0,58 | € 2,90 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
104 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,8 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products