řada: NexFETMOSFET CSD25404Q3T P-kanálový 104 A 20 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
104 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,8 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,65
€ 0,53 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
€ 2,65
€ 0,53 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
104 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,8 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products