DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: NexFETMOSFET CSD83325LT N-kanálový 8 A 12 V, PICOSTAR, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 145-6334Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD83325LT
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Gehäusegröße

PICOSTAR

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

23 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

2,3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Breite

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

1.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8,4 nC při 4,5 V

Höhe

0.2mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD83325LT N-kanálový 8 A 12 V, PICOSTAR, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD83325LT N-kanálový 8 A 12 V, PICOSTAR, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Gehäusegröße

PICOSTAR

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

23 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

2,3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Breite

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

1.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8,4 nC při 4,5 V

Höhe

0.2mm

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more