Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
2.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,4 nC při 4,5 V
Höhe
0.2mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
2.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,4 nC při 4,5 V
Höhe
0.2mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku