Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Gehäusegröße
Picostar YSE 6
Typ montáže
Surface
Typický náboj brány Qg @ Vgs
10.9nC
Maximální ztrátový výkon Pd
2.3W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
10 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Gehäusegröße
Picostar YSE 6
Typ montáže
Surface
Typický náboj brány Qg @ Vgs
10.9nC
Maximální ztrátový výkon Pd
2.3W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
10 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No


