řada: NexFETMOSFET CSD87334Q3DT P-kanálový 60 A 30 V, VSON, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Breite
3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10.5 nC
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments
Blok napájení Half-Bridge NexFET
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Breite
3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10.5 nC
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments
Blok napájení Half-Bridge NexFET