řada: NexFETMOSFET CSD87335Q3DT P-kanálový 70 A 30 V, LSON-CLIP, počet kolíků: 8 dvojitý Dvojitá základna
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
70 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LSON-CLIP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC, 19 nC
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments
Blok napájení Half-Bridge NexFET
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
70 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LSON-CLIP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC, 19 nC
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET, Texas Instruments
Blok napájení Half-Bridge NexFET
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products