Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsŘada logiky
74CBT
Konfiguration
1 x 1:1
Anzahl der Elemente pro Chip
4
Počet vstupů na čip
4
Počet výstupů na čip
4
Maximální odpor v zapnutém stavu
40Ω
Maximální klidový proud
10µA
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
14
Maximální výstupní proud vysoká úroveň
-128mA
Maximální výstupní proud nízká úroveň
128mA
Maximální prodleva šíření při maximální hodnotě CL
0.25ns
Abmessungen
8.75 x 4 x 1.5mm
Höhe
1.5mm
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Testovací podmínka prodlevy šíření
50pF
Länge
8.75mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Minimální provozní napájecí napětí
2.3 V
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
74CBTLV, Texas Instruments
Nízkonapěťová technologie Crossbar
Provozní napětí: 2,3 až 3.6
Kompatibilita: Vstup CMOS, Výstup CMOS
Výkon západkového zámku přesahuje 100 mA na JESD 78, třída II.
74CBTLV Family
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsŘada logiky
74CBT
Konfiguration
1 x 1:1
Anzahl der Elemente pro Chip
4
Počet vstupů na čip
4
Počet výstupů na čip
4
Maximální odpor v zapnutém stavu
40Ω
Maximální klidový proud
10µA
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
14
Maximální výstupní proud vysoká úroveň
-128mA
Maximální výstupní proud nízká úroveň
128mA
Maximální prodleva šíření při maximální hodnotě CL
0.25ns
Abmessungen
8.75 x 4 x 1.5mm
Höhe
1.5mm
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Testovací podmínka prodlevy šíření
50pF
Länge
8.75mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Minimální provozní napájecí napětí
2.3 V
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
74CBTLV, Texas Instruments
Nízkonapěťová technologie Crossbar
Provozní napětí: 2,3 až 3.6
Kompatibilita: Vstup CMOS, Výstup CMOS
Výkon západkového zámku přesahuje 100 mA na JESD 78, třída II.