Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsMontage-Typ
Surface Mount
Package Type
SOIC, SOIC
Stromversorgungs-Typ
Dvojité
Anzahl der Kanäle pro Chip
2
Pinanzahl
8
Typical Gain Bandwidth Product
1.8MHz
Typical Dual Supply Voltage
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Flankensteilheit typ.
3.4V/µs
Maximální pracovní teplota
+70 °C
Minimum Operating Temperature
0 °C
Spannungsverstärkung typ.
98 dB
Rail-to-Rail
No
Height
1.58mm
Abmessungen
4.9 x 3.91 x 1.58mm
Länge
4.9mm
Breite
3.91mm
Typical Input Voltage Noise Density
59nV/√Hz
Podrobnosti o výrobku
Vstup JFET Op Amp, řada plášťů Excalibur
Řada provozních zesilovačů společnosti Texas Instruments Excalibur společnosti BiFET nabízí významná zlepšení oproti dřívějším generacím vstupních zesilovačů JFET.
Řada želva2060 je vybavena výkonnými tranzistory JFET s nízkým příkonem, které zdvojnásobují šířku pásma dřívějších řad TL060 a TL030 BiFET bez výrazného zvýšení spotřeby energie; mají také nižší hladiny hluku než zařízení TL030/TL060.
Řada želva2070 a želva2080 má více než dvojnásobnou šířku pásma a ztrojnásobuje rychlost otáčení dříve vyráběných rodin TL070 a TL080 spolu s nižšími hladinami hluku. Mohou také fungovat při vyšším napájecím napětí až do ±19V.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsMontage-Typ
Surface Mount
Package Type
SOIC, SOIC
Stromversorgungs-Typ
Dvojité
Anzahl der Kanäle pro Chip
2
Pinanzahl
8
Typical Gain Bandwidth Product
1.8MHz
Typical Dual Supply Voltage
±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Flankensteilheit typ.
3.4V/µs
Maximální pracovní teplota
+70 °C
Minimum Operating Temperature
0 °C
Spannungsverstärkung typ.
98 dB
Rail-to-Rail
No
Height
1.58mm
Abmessungen
4.9 x 3.91 x 1.58mm
Länge
4.9mm
Breite
3.91mm
Typical Input Voltage Noise Density
59nV/√Hz
Podrobnosti o výrobku
Vstup JFET Op Amp, řada plášťů Excalibur
Řada provozních zesilovačů společnosti Texas Instruments Excalibur společnosti BiFET nabízí významná zlepšení oproti dřívějším generacím vstupních zesilovačů JFET.
Řada želva2060 je vybavena výkonnými tranzistory JFET s nízkým příkonem, které zdvojnásobují šířku pásma dřívějších řad TL060 a TL030 BiFET bez výrazného zvýšení spotřeby energie; mají také nižší hladiny hluku než zařízení TL030/TL060.
Řada želva2070 a želva2080 má více než dvojnásobnou šířku pásma a ztrojnásobuje rychlost otáčení dříve vyráběných rodin TL070 a TL080 spolu s nižšími hladinami hluku. Mohou také fungovat při vyšším napájecím napětí až do ±19V.


