Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
791 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +2 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,25 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
4.9mm
Breite
3.91mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
1.58mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
791 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +2 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,25 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
4.9mm
Breite
3.91mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
1.58mm