Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
4.5A
Počet kolíků
8
Gehäusegröße
SOIC
Doba poklesu
15ns
Počet výstupů
2
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
20ns
Minimální napájecí napětí
15V
Maximální napájecí napětí
15V
Počet budičů
2
Minimální provozní teplota
-40°C
Betriebstemperatur max.
125°C
Šířka
3.91 mm
Řada
UCC2732
Výška
1.58mm
Délka
4.9mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Ovladače MOSFET a IGBT, 3 A až 5 A, Texas Instruments
Řada integrovaných obvodů s ovladači brány od společnosti Texas Instruments, které jsou vhodné pro aplikace MOSFET i IGBT. Zařízení jsou schopna poskytovat vhodné výstupy s vysokým proudem kompatibilní s požadavky na jednotky výkonových zařízení MOSFET a IGBT a jsou k dispozici v různých konfiguracích a typech balení.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 82,81
€ 1,104 Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
€ 82,81
€ 1,104 Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
75
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 1,104 | € 82,81 |
| 150 - 300 | € 0,963 | € 72,26 |
| 375 - 675 | € 0,939 | € 70,42 |
| 750+ | € 0,915 | € 68,65 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
4.5A
Počet kolíků
8
Gehäusegröße
SOIC
Doba poklesu
15ns
Počet výstupů
2
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
20ns
Minimální napájecí napětí
15V
Maximální napájecí napětí
15V
Počet budičů
2
Minimální provozní teplota
-40°C
Betriebstemperatur max.
125°C
Šířka
3.91 mm
Řada
UCC2732
Výška
1.58mm
Délka
4.9mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Ovladače MOSFET a IGBT, 3 A až 5 A, Texas Instruments
Řada integrovaných obvodů s ovladači brány od společnosti Texas Instruments, které jsou vhodné pro aplikace MOSFET i IGBT. Zařízení jsou schopna poskytovat vhodné výstupy s vysokým proudem kompatibilní s požadavky na jednotky výkonových zařízení MOSFET a IGBT a jsou k dispozici v různých konfiguracích a typech balení.


