Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
4A
Počet kolíků
5
Gehäusegröße
SOT-23
Doba poklesu
7ns
Počet výstupů
5
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
8ns
Minimální napájecí napětí
18V
Maximální napájecí napětí
18V
Počet budičů
1
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
140°C
Breite
1.75 mm
Řada
UCC2751x
Výška
1.45mm
Délka
3.05mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Ovladače MOSFET a IGBT, 3 A až 5 A, Texas Instruments
Řada integrovaných obvodů s ovladači brány od společnosti Texas Instruments, které jsou vhodné pro aplikace MOSFET i IGBT. Zařízení jsou schopna poskytovat vhodné výstupy s vysokým proudem kompatibilní s požadavky na jednotky výkonových zařízení MOSFET a IGBT a jsou k dispozici v různých konfiguracích a typech balení.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 4,31
€ 0,862 Each (In a Bag of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 4,31
€ 0,862 Each (In a Bag of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,862 | € 4,31 |
| 25 - 45 | € 0,816 | € 4,08 |
| 50 - 120 | € 0,736 | € 3,68 |
| 125 - 245 | € 0,662 | € 3,31 |
| 250+ | € 0,656 | € 3,28 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
4A
Počet kolíků
5
Gehäusegröße
SOT-23
Doba poklesu
7ns
Počet výstupů
5
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
8ns
Minimální napájecí napětí
18V
Maximální napájecí napětí
18V
Počet budičů
1
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
140°C
Breite
1.75 mm
Řada
UCC2751x
Výška
1.45mm
Délka
3.05mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Ovladače MOSFET a IGBT, 3 A až 5 A, Texas Instruments
Řada integrovaných obvodů s ovladači brány od společnosti Texas Instruments, které jsou vhodné pro aplikace MOSFET i IGBT. Zařízení jsou schopna poskytovat vhodné výstupy s vysokým proudem kompatibilní s požadavky na jednotky výkonových zařízení MOSFET a IGBT a jsou k dispozici v různých konfiguracích a typech balení.


