Tranzistor 2SA1163-GR(TE85L,F PNP -100 mA -120 V, SOT-346 (SC-59), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 890-2594Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: 2SA1163-GR(TE85L,F
brand-logo

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ tranzistoru

PNP

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

-100 mA

Maximální napětí emitoru/kolektoru

-120 V.

Gehäusegröße

SOT-346

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

150 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální bázové napětí kolektoru

-120 V

Maximální bázové napětí emitoru

-5 V

Pinanzahl

3

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Abmessungen

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

Malé signální tranzistory PNP Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

Tranzistor 2SA1163-GR(TE85L,F PNP -100 mA -120 V, SOT-346 (SC-59), počet kolíků: 3 Jednoduchý

P.O.A.

Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

Tranzistor 2SA1163-GR(TE85L,F PNP -100 mA -120 V, SOT-346 (SC-59), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ tranzistoru

PNP

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

-100 mA

Maximální napětí emitoru/kolektoru

-120 V.

Gehäusegröße

SOT-346

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální ztrátový výkon

150 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální bázové napětí kolektoru

-120 V

Maximální bázové napětí emitoru

-5 V

Pinanzahl

3

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Abmessungen

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

Malé signální tranzistory PNP Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more