Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-120 V.
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-120 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Malé signální tranzistory PNP Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-120 V.
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-120 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


