Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
120 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,219
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,219
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,219 | € 5,48 |
125 - 225 | € 0,192 | € 4,80 |
250 - 475 | € 0,188 | € 4,69 |
500 - 1225 | € 0,184 | € 4,59 |
1250+ | € 0,179 | € 4,48 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
SOT-346
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
120 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku