DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ) P-kanálový 5 A 60 V, PW Mold, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 415-174Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: 2SJ668(TE16L,NQ)
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

PW Mold

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

170 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

20 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5.5mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.3mm

Podrobnosti o výrobku

MOSFET, řada P-Channel, 2SJ, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ) P-kanálový 5 A 60 V, PW Mold, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ) P-kanálový 5 A 60 V, PW Mold, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

PW Mold

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

170 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

20 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5.5mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.3mm

Podrobnosti o výrobku

MOSFET, řada P-Channel, 2SJ, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more