Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3.0mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
10 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-50V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-346
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
N-channel JFET Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,217
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 0,217
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3.0mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
10 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-50V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-346
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
N-channel JFET Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.