JFET 2SK209-Y(TE85L,F) N-kanálový 10 V, SOT-346 (SC-59), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 760-3126PZnačka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: 2SK209-Y(TE85L,F)
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii JFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Zbytkový proud drain-source Idss

1.2 to 3.0mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

10 V

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-50V

Konfigurace tranzistoru

Single

Konfiguration

Single

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-346

Pinanzahl

3

Abmessungen

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Länge

2.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Breite

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

N-channel JFET Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,217

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

JFET 2SK209-Y(TE85L,F) N-kanálový 10 V, SOT-346 (SC-59), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

€ 0,217

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

JFET 2SK209-Y(TE85L,F) N-kanálový 10 V, SOT-346 (SC-59), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Zbytkový proud drain-source Idss

1.2 to 3.0mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

10 V

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-50V

Konfigurace tranzistoru

Single

Konfiguration

Single

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-346

Pinanzahl

3

Abmessungen

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Länge

2.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Breite

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

N-channel JFET Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more