řada: 2SKMOSFET 2SK3564,S5Q(J N-kanálový 3 A 900 V, SC-67, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
SC-67
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15mm
Propustné napětí diody
1.9V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,12
€ 1,224 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 6,12
€ 1,224 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,224 | € 6,12 |
| 25 - 45 | € 1,198 | € 5,99 |
| 50 - 95 | € 1,174 | € 5,87 |
| 100 - 245 | € 1,15 | € 5,75 |
| 250+ | € 1,13 | € 5,65 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
SC-67
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15mm
Propustné napětí diody
1.9V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products