řada: 2SKMOSFET 2SK3565,S5Q(J N-kanálový 5 A 900 V, SC-67, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
SC-67
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Höhe
15mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,65
€ 1,73 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 8,65
€ 1,73 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,73 | € 8,65 |
| 25 - 45 | € 1,696 | € 8,48 |
| 50 - 95 | € 1,664 | € 8,32 |
| 100 - 245 | € 1,628 | € 8,14 |
| 250+ | € 1,596 | € 7,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
SC-67
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Höhe
15mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products