Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMontage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
S-FLAT
Maximální stejnosměrný propustný proud
1.5A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
30V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Schottky
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
360mV
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
30 A @ 50 Hz
Podrobnosti o výrobku
Bariérové diody Schottky, řada CMS/CRS/CUS
Diodes and Rectifiers, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMontage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
S-FLAT
Maximální stejnosměrný propustný proud
1.5A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
30V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Schottky
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
360mV
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
30 A @ 50 Hz
Podrobnosti o výrobku