IGBT GT20J341 N-kanálový 20 A 600 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 100kHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMaximální stejnosměrný proud kolektoru
20 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
100kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10 x 4.5 x 15mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 12,40
€ 2,48 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 12,40
€ 2,48 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 5 - 9 | € 2,48 |
| 10 - 24 | € 2,33 |
| 25 - 49 | € 2,20 |
| 50+ | € 2,09 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMaximální stejnosměrný proud kolektoru
20 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
100kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10 x 4.5 x 15mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products