Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
136 mΩ
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.8mm
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5.9 nC při -10 v nC
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET, řada P-Channel, SSM3J, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,10
€ 0,17 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)
30
€ 5,10
€ 0,17 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 0,17 | € 5,10 |
| 150+ | € 0,162 | € 4,85 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
136 mΩ
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.8mm
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5.9 nC při -10 v nC
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


