MOSFET SSM3J334R,LF(T P-kanálový 4 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 144-5260Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: SSM3J334R,LF(T
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

136 mΩ

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

1.8mm

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

5.9 nC při -10 v nC

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.8mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET, řada P-Channel, SSM3J, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 5,10

€ 0,17 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)

MOSFET SSM3J334R,LF(T P-kanálový 4 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 5,10

€ 0,17 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)

MOSFET SSM3J334R,LF(T P-kanálový 4 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
30 - 120€ 0,17€ 5,10
150+€ 0,162€ 4,85

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

136 mΩ

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

1.8mm

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

5.9 nC při -10 v nC

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.8mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET, řada P-Channel, SSM3J, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more