Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.8mm
Länge
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.7mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, SSE3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,44
€ 0,084 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
100
€ 8,44
€ 0,084 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,084 | € 8,44 |
| 300+ | € 0,072 | € 7,24 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.8mm
Länge
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.7mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


