Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
US6
Řada
SSM6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Länge
1.25mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel SSM6Nxx, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 2,06
€ 2,06 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
1
€ 2,06
€ 2,06 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 2,06 |
5 - 14 | € 1,44 |
15 - 49 | € 1,25 |
50 - 99 | € 0,99 |
100+ | € 0,87 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
US6
Řada
SSM6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Länge
1.25mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku