Tranzistor MOSFET TK100A10N1,S4X(S 100 A 100 V, TO-220SIS
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMaximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,8 mΩ
Maximální ztrátový výkon
45 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaMaximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,8 mΩ
Maximální ztrátový výkon
45 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products