řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK100E06N1,S1X(S N-kanálový 263 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
263 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
255 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,26
€ 1,652 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 8,26
€ 1,652 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,652 | € 8,26 |
| 25 - 45 | € 1,49 | € 7,45 |
| 50 - 120 | € 1,356 | € 6,78 |
| 125 - 245 | € 1,268 | € 6,34 |
| 250+ | € 1,25 | € 6,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
263 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
255 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products