řada: TKMOSFET TK100E08N1 N-kanálový 214 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 168-7773Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK100E08N1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

214 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Řada

TK

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

255 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

4.45mm

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

130 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 77,33

€ 1,547 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: TKMOSFET TK100E08N1 N-kanálový 214 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 77,33
100€ 154,66
150€ 231,99
200€ 309,32
250€ 386,65
300€ 463,98
350€ 541,31
400€ 618,64
450€ 695,97
500€ 773,30
550€ 850,63
600€ 927,96
650€ 1 005,29
700€ 1 082,62
750€ 1 159,95

€ 77,33

€ 1,547 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: TKMOSFET TK100E08N1 N-kanálový 214 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 77,33
100€ 154,66
150€ 231,99
200€ 309,32
250€ 386,65
300€ 463,98
350€ 541,31
400€ 618,64
450€ 695,97
500€ 773,30
550€ 850,63
600€ 927,96
650€ 1 005,29
700€ 1 082,62
750€ 1 159,95

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

214 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Řada

TK

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

255 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

4.45mm

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

130 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more