řada: DTMOSIVMOSFET TK10A60W,S4VX(M N-kanálový 9,7 A 600 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
380 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Höhe
15mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,07
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,07
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,07 | € 5,35 |
| 25 - 45 | € 0,694 | € 3,47 |
| 50 - 120 | € 0,676 | € 3,38 |
| 125 - 245 | € 0,658 | € 3,29 |
| 250+ | € 0,64 | € 3,20 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
380 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Höhe
15mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products