řada: TKMOSFET TK10A80E,S4X(S N-kanálový 10 A 800 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.5mm
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,91
€ 1,182 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 5,91
€ 1,182 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,182 | € 5,91 |
| 25 - 95 | € 1,042 | € 5,21 |
| 100 - 245 | € 0,91 | € 4,55 |
| 250 - 495 | € 0,852 | € 4,26 |
| 500+ | € 0,802 | € 4,01 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.5mm
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products