řada: TKMOSFET TK12E60W,S1VX(S N-kanálový 11,5 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 168-7950Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK12E60W,S1VX(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

11.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

TK

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

300 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.7V

Maximální ztrátový výkon

110 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.45mm

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 37,95

€ 0,759 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: TKMOSFET TK12E60W,S1VX(S N-kanálový 11,5 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 37,95
100€ 75,90
150€ 113,85
200€ 151,80
250€ 189,75
300€ 227,70
350€ 265,65
400€ 303,60
450€ 341,55
500€ 379,50
550€ 417,45
600€ 455,40
650€ 493,35
700€ 531,30
750€ 569,25

€ 37,95

€ 0,759 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: TKMOSFET TK12E60W,S1VX(S N-kanálový 11,5 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

50

Dostupné v násobkoch 50
50€ 37,95
100€ 75,90
150€ 113,85
200€ 151,80
250€ 189,75
300€ 227,70
350€ 265,65
400€ 303,60
450€ 341,55
500€ 379,50
550€ 417,45
600€ 455,40
650€ 493,35
700€ 531,30
750€ 569,25

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

11.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

TK

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

300 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.7V

Maximální ztrátový výkon

110 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.45mm

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more