řada: TKMOSFET TK12J60W,S1VQ(O N-kanálový 11,5 A 600 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,61
€ 2,61 Each (bez DPH)
1
€ 2,61
€ 2,61 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 2,61 |
| 5 - 9 | € 2,46 |
| 10 - 24 | € 2,33 |
| 25 - 49 | € 2,20 |
| 50+ | € 2,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products