řada: DTMOSIVMOSFET TK14G65W,RQ(S N-kanálový 13,7 A 650 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2797Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK14G65W,RQ(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

13.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

DTMOSIV

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

250 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

130 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

35 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

8.8mm

Länge

10.35mm

Propustné napětí diody

1.7V

Höhe

4.46mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 8,20

€ 1,64 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK14G65W,RQ(S N-kanálový 13,7 A 650 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 8,20
10€ 16,40
15€ 24,60
20€ 32,80
25€ 41,00
30€ 49,20
35€ 57,40
40€ 65,60
45€ 73,80
50€ 82,00
55€ 90,20
60€ 98,40
65€ 106,60
70€ 114,80
75€ 123,00

€ 8,20

€ 1,64 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK14G65W,RQ(S N-kanálový 13,7 A 650 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 8,20
10€ 16,40
15€ 24,60
20€ 32,80
25€ 41,00
30€ 49,20
35€ 57,40
40€ 65,60
45€ 73,80
50€ 82,00
55€ 90,20
60€ 98,40
65€ 106,60
70€ 114,80
75€ 123,00

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

13.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

DTMOSIV

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

250 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

130 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

35 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

8.8mm

Länge

10.35mm

Propustné napětí diody

1.7V

Höhe

4.46mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more