Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
U-MOSVIII-H
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
37 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
5.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,74
€ 1,148 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 5,74
€ 1,148 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,148 | € 5,74 |
25 - 45 | € 0,974 | € 4,87 |
50 - 245 | € 0,94 | € 4,70 |
250 - 495 | € 0,912 | € 4,56 |
500+ | € 0,88 | € 4,40 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
U-MOSVIII-H
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
37 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
5.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku