řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK15S04N1L,LQ(O N-kanálový 15 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2798Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK15S04N1L,LQ(O
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

15 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

37 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

46 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5.5mm

Länge

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

2.3mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 4,64

€ 0,928 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK15S04N1L,LQ(O N-kanálový 15 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 4,64

€ 0,928 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK15S04N1L,LQ(O N-kanálový 15 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 0,928€ 4,64
25 - 45€ 0,788€ 3,94
50 - 245€ 0,762€ 3,81
250 - 495€ 0,738€ 3,69
500+€ 0,712€ 3,56

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

15 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

37 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

46 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5.5mm

Länge

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

2.3mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more