Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
37 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.5mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 4,64
€ 0,928 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 4,64
€ 0,928 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,928 | € 4,64 |
| 25 - 45 | € 0,788 | € 3,94 |
| 50 - 245 | € 0,762 | € 3,81 |
| 250 - 495 | € 0,738 | € 3,69 |
| 500+ | € 0,712 | € 3,56 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
37 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.5mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


