řada: DTMOSIVMOSFET TK16E60W5,S1VX(S N-kanálový 15,8 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
230 m. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,54
€ 1,308 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 6,54
€ 1,308 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,308 | € 6,54 |
| 25 - 45 | € 0,79 | € 3,95 |
| 50 - 120 | € 0,722 | € 3,61 |
| 125 - 245 | € 0,71 | € 3,55 |
| 250+ | € 0,708 | € 3,54 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
230 m. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products