Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 6,75
€ 0,675 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 6,75
€ 0,675 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,675 | € 6,75 |
| 30+ | € 0,641 | € 6,41 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


